Micron Technology e Intel han desarrollado una nueva tecnología de memoria flash: NAND 3D. Esta novedad emplea celdas de almacenamiento superpuestas en capas en una pila vertical para ofrecer dispositivos con una capacidad de almacenamiento 3 veces mayor que las tecnologias NAND planas. Esta capacidad permite ofrecer un menor consumo energético y rendimiento en numerosos dispostiivos tanto en dispositivos de consumo como en aplicaciones empresariales.
La nueva tecnología NAND 3D se compone de pilas de celdas de memoria flash apiladas en 32 capas, en módulos de celdas multinivel (MLC) de 256 GB o de celdas de triple nivel (TLC) de 384 GB, con el mismo tamaño que los módulos de memoria convencionales. Al aumentar la densidad se podrá crear, por ejemplo, SSD de más de 3,5 TB de almacenamiento del tamaño de un chicle de tira, así como SSD en formato estándar de 2,5″ con una capacidad de más de 10 TB.
Rob Crooke, vicepresidente jefe y director general de la división non-volatile memory solutions group de Intel, indicó que “las significativas mejoras en términos de densidad y costes que nuestra nueva tecnología NAND 3D hacen posible contribuirán a acelerar la expansión de las soluciones de almacenamiento de estado sólido en todo tipo de plataformas de computación”.
