Intel ha anunciado la hoja de ruta que seguirá para innovar en el terreno de la tecnología de procesos y empaquetado a partir de 2025. La compañía ha anunciado también RibbonFET, su nueva arquitectura de transistores en más de una década y PowerVia, un nuevo método de suministro de energía en la parte trasera. A la vez, destacó que tiene previsto adoptar la litografía ultravioleta extrema (EUV, por sus siglas en inglés) para su próxima generación de fabricación que se denomina EUV de Alta Apertura Numérica (High NA) y avanzó otras innovaciones en el proceso de empaquetado de procesadores.
Pat Gelsinger, CEO de Intel, explicó que están acelerando su “ hoja de ruta de innovación para asegurar que estamos correctamente encaminados hacia el liderazgo en el rendimiento de procesos de cara a 2025”. El directivo añadió que su intención es “ofrecer avances tecnológicos, desde el transistor, hasta el nivel del sistema. Hasta que se agote la tabla periódica, seremos implacables en nuestra búsqueda para cumplir con la Ley de Moore y en nuestro camino para innovar con la magia del silicio”.
Nueva estructura y nomenclatura para sus nodos de proceso
Intel ha introducido una nueva estructura de nomenclatura para sus nodos de proceso con el fin de crear un marco claro y coherente para ofrecer a los clientes una visión más precisa en toda la industria. Dentro de estos cambios figura el interés por Intel Foundry Services (IFS por sus siglas en inglés) que ya cuenta con dos clientes importantes, según anunció Gelsinger.
En cuanto a la hoja de ruta que seguirá con las nuevas nomenclaturas de nodos, Intel ha indicado que Intel 7, que ofrece un incremento del rendimiento por vatio entre el 10 % y el 15 %, en comparación con Intel 10nm SuperFin, se podrá encontrar en productos como Alder Lake para clientes en 2021 y Sapphire Rapids para el centro de datos, que se espera que esté en producción en el primer trimestre de 2022.
Intel 4 adoptará la litografía EUV para reproducir características increíblemente pequeñas con luz de longitud de onda ultracorta. Estará disponible para su producción en la segunda mitad de 2022 en productos que se comercialicen en 2023, incluyendo Meteor Lake para clientes y Granite Rapids para el centro de datos.
Intel 3 aprovechará las optimizaciones de FinFET y un mayor EUV para ofrecer un aumento del rendimiento por vatio de aproximadamente un 18 % con respecto a Intel 4. Estará listo para empezar a fabricarse en productos en la segunda mitad de 2023.
Intel 20A será el comienzo de la era angstrom y contará con las tecnologías de RibbonFET y PowerVia. RibbonFET, que es la implementación de Intel de un transistor gate-all-around (GAA, por sus siglas en inglés), será la primera nueva arquitectura de transistores de la empresa desde que fue pionera con los FinFET en 2011. Ofrece velocidades de conmutación de transistores más rápidas. Y PowerVia es la primera implementación de Intel en el sector de suministro de energía en la parte trasera, que optimiza la señal de transmisión eliminando la necesidad de enrutar la energía en la parte frontal de la oblea. Se espera que Intel 20A entre en funcionamiento en 2024. Y también está previsto que Intel colabore con Qualcomm a través de esta tecnología de proceso.
A partir de 2025 y más allá de Intel 20A está desarrollando Intel 18A que estará lista a principios de 2025 con mejoras en RibbonFET para proporcionar mayor rendimiento de los transistores. Al mismo tiempo, el fabricante ha comunicado que está trabajando para definir, construir e implementar EUV de Alta NA de próxima generación con el fin lograr la primera herramienta de producción del sector.
“Lideramos la transición a silicio deformando a 90 nm, a compuertas metálicas High-k a 45 nm y a FinFET a 22 nm. Intel 20A supondrá otro momento crucial en la tecnología de procesos con dos innovaciones revolucionarias: RibbonFET y PowerVia”, subrayó Ann Kelleher, senior vice president and general manager of Technology Development. 
Empaquetado
En el apartado de empaquetado, que cobra especial importancia para sacar el máximo beneficio a la Ley de Moore, ha anunciado que AWS será el primer cliente en utilizar las soluciones de empaquetado de IFS. A la vez ha avanzado los pasos de su hoja de ruta. Ha comunicado que Sapphire Rapids será el primer producto para centro de datos de Xeon que se comercializará a gran volumen con EMIB (puente integrado de interconexión de múltiples matrices). Y, además, la próxima generación de EMIB pasará de un bump pitch de 55 micras a 45 micras.
En el ámbito del 3D ha anunciado innovaciones avanzadas en Foveros, que ofrece una solución de apilamiento 3D. Meteor Lake será la implementación de segunda generación de Foveros en un producto para cliente y cuenta con un bump pitch de 36 micras. Además, Foveros Omni será el comienzo de la próxima generación de la tecnología Foveros y se espera que esté listo para la fabricación en volumen en 2023.Y Foveros Direct pasará a la unión directa de cobre con cobre para interconexiones de baja resistencia, difuminando la frontera entre el final de la oblea y el comienzo del paquete. Es complementario a la anterior y también se espera que esté listo en 2023.
